據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾公司計(jì)劃在今年的第二季度向設(shè)備制造商客戶提供第一批下一代內(nèi)存技術(shù)－相變內(nèi)存芯片的樣本。

　　相變內(nèi)存是一種非易失性內(nèi)存，結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源之后保留數(shù)據(jù)的特性。因此，它被業(yè)界視為未來閃存和DRAM內(nèi)存的替代品。同時(shí)，它可以在不刪除現(xiàn)有數(shù)據(jù)的情況下寫入數(shù)據(jù)，而且功耗只有現(xiàn)在閃存的一半，但是讀寫速度可以達(dá)到閃存的1000倍。

　　在電量消耗大的移動(dòng)設(shè)備中，相變內(nèi)存可為儲存數(shù)據(jù)執(zhí)行編碼時(shí)提供高速的數(shù)據(jù)傳輸。同時(shí)，英特爾閃存部門的首席技術(shù)官Ed Doller在英特爾總部舉行的會議上表示，理想地說，相變內(nèi)存將滿足人們對獲得一種能夠保存數(shù)據(jù)的DRAM的需求。

　　另外，Doller還表示，雖然相變內(nèi)存比傳統(tǒng)的閃存和DRAM內(nèi)存都要昂貴，但他相信其價(jià)格很快就會降到一個(gè)較低的水平。而英特爾公司首先會把相變內(nèi)存技術(shù)定位在移動(dòng)手機(jī)市場，現(xiàn)在的手機(jī)都是通過NOR閃存來儲存操作系統(tǒng)和用戶數(shù)據(jù)的。

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