IBM同Crocus Technology簽署協(xié)議，希望能夠推動它的MRAM（磁阻隨機存取記憶體）閃存。這次合作對IBM在賽道記憶體（racetrack memory）上的研發(fā)會有何影響還不明朗。

Crocus Technology是磁阻記憶體的開發(fā)者，并且已經(jīng)設計了一種熱輔助磁邏輯單元（MLU）。這吸引了IBM的興趣。兩家公司簽署了合作協(xié)議，共同開發(fā)一種將MLU和IBM MRAM結合在一起的半導體技術。

這份合同包含專利授權：IBM和Crocus將共享專利，以便雙方可以協(xié)同將磁記憶體技術整合到芯片上。

IBM Quantum Computing and Exploratory Magnetic Memories（量子計算與開拓性磁性記憶體）部門高級經(jīng)理William Gallagher表示：“這次聯(lián)合開發(fā)和專利授權協(xié)議進一步體現(xiàn)了IBM長期以來致力于通過合作實現(xiàn)創(chuàng)新的努力�！毖韵轮�意：我們沒法單獨完成。

MLU技術可以改善IBM的MRAM.一個MRAM單元是一個磁通道聯(lián)合（MTJ）--兩個磁層的一個邊上有一個絕緣層。第一個磁層的磁場方向是固定的，第二層的磁場方向可以和第一層一致也可以和第一層相反。

不同的磁場方向會帶來磁阻的變化，也就是說我們可以根據(jù)高磁阻和低磁阻來定義二進制的0和1信號。

Crocus MRAM:所存儲的數(shù)據(jù)根據(jù)磁通道聯(lián)合的磁場方向變化而變化。

MLU技術可以幫助IBM和Crocus構建更小的MRAM單元--減少至90納米或更小--提高存儲密度。它為所存儲的數(shù)據(jù)提供了更大的穩(wěn)定性。Crocus表示它的MLU:“開啟了在磁記憶體中部署NAND設置的大門，此前這種做法只可能在閃存記憶體技術上實現(xiàn)。MLU NAND記憶體單元的密度可以是傳統(tǒng)磁性記憶體的兩倍到4倍，同時可以完全地隨機存取。”

Crocus Technology的執(zhí)行主席Bertrand Cambou表示：“MLU有潛力代替SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP等許多獨立的和嵌入式記憶體產品。由于MLU的NOR、NAND和XOR能力是構建在單晶圓制程的基礎上并采用不同的設計架構，它們可以很容易地整合進片上系統(tǒng)（System-on-Chip）。

Crocus之前曾說過將在芯片制造合作伙伴TowerJazz Seminoconductor那里批量生產130納米制程的MLU產品，在俄羅斯子公司Crocus Nano Electronics（CNE）那里生產90納米、65納米、45納米制程以下的產品。Crocus表示該公司計劃在CNE生產基地那里部署與IBM聯(lián)合開發(fā)的制程技術。

IBM表示它的”MRAM技術相比其他競爭性技術而言有很大的優(yōu)勢，包括低能耗、高速度、無限耐用（讀取和寫入）、內在的非易失性--這意味著數(shù)據(jù)可以在電力丟失的時候也能保留。MRAM有潛力支持‘即時啟動’計算機，為移動計算設備提供留出更多的電池使用壽命。“

在我聽來，有點像是賽道記憶體。除了這個與Crocus合作的MRAM以外，IBM的Almaden Research Centre研發(fā)中心也在開發(fā)賽道記憶體。后NAND時代記憶體技術之爭正激烈，不一定誰會勝出。IBM知道這一點。

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